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MOSFET de 650V 7A TO-220F N
  • MOSFET de 650V 7A TO-220F N

MOSFET de 650V 7A TO-220F N

    Tipo de pagamento: T/T
    Incoterm: FOB
    Quantidade de pedido mínimo: 10 Roll
    Tempo de entrega: 20 dias

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Informação básica

Modelo: ATM7N65TF

Certificação: RoHS, CE, ISO

Forma: De outros

Tipo de blindagem: De outros

Método de resfriamento: De outros

Função: Transistor de alta pressão traseira

Freqüência de trabalho: Baixa frequência

Estrutura: Planar

Estrutura de encapsulamento: Transistor vedado de plástico

Nível de poder: Poder médio

Material: Silício

Additional Info

Pacote: T / R

produtividade: 3KK/M

marca: agertech

transporte: Ocean

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: formal

Certificados : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

Código HS: 8541100000

porta: Shenzhen Shekou

Descrição do produto

O ATM7N65TF é um transistor de efeito de campo de potência de modo de aprimoramento de canal N de alta voltagem projetado para minimizar a resistência no estado, desempenho de comutação superior e suportar pulso de alta energia no modo de avalanche e comutação. Este MOSFET de potência é bem adequado para fonte de alimentação de modo de comutação de alta eficiência.

CARACTERÍSTICAS:


  • RDS (ON) = 1,4Ω @VGS = 10 V
  • Carga de portão ultra baixa (típico 28 nC)
  • Capacitância de transferência reversa baixa (CRSS = típico 12 pF)
  • Capacidade de comutação rápida
  • Energia Avalanche testada
  • Melhoria da capacidade de dv / dt, alta robustez


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TC = 25 ° C, salvo indicação em contrário)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS = 0V, ID = 250μA

650

 

 

V

Drain-Source Leakage Current

IDSS

VDS = 650V, VGS = 0V

 

 

10

µA

Gate-Source Leakage Current

Forward

IGSS

VGS = 30 V, VDS = 0 V

 

 

100

nA

 

Reverse

 

VGS = -30 V, VDS = 0 V

 

 

-100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VDS = VGS, ID = 250μA

2.0

 

4.0

V

Static Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS = 10V, ID =3.5A (Note 4)

 

1.05

1.4

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

CISS

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 MHz

 

950

1430

pF

Output Capacitance

COSS

 

 

85

130

pF

Reverse Transfer Capacitance

CRSS

 

 

12

18

pF

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

tD(ON)

 

VDD=325V, ID =7A, RG =25Ω (Note 1, 2)

 

16

 

ns

Turn-On Rise Time

tR

 

 

60

 

ns

Turn-Off Delay Time

tD(OFF)

 

 

80

 

ns

Turn-Off Fall Time

tF

 

 

65

 

ns

Total Gate Charge

QG

 

VDS=520V, ID=7A, VGS=10 V (Note 1, 2)

 

28

42

nC

Gate-Source Charge

QGS

 

 

5.5

8.3

nC

Gate-Drain Charge

QGD

 

 

11

17

nC

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS = 0V, IS = 7A

 

 

1.4

V

Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current

IS

 

 

 

7

A

Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current

ISM

 

 

 

28

A

Reverse Recovery Time

trr

VGS = 0V, IS =7A,

dIF / dt = 100A/μs (Note 1)

 

365

 

ns

Reverse Recovery Charge

QRR

 

 

4.23

 

µC


N Channel Transistor



Grupo de Produto : Mosfet do canal de N

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